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紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀

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       納米級(jí)二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好，比表面積大，親水性、力學(xué)補(bǔ)強(qiáng)性、增稠性及防粘結(jié)性等特性，廣泛應(yīng)用于電子封裝材料、高分子復(fù)合材料、塑料、涂料、橡膠、顏料、陶瓷、膠黏劑、玻璃鋼、藥物載體、化妝品及抗菌材料、油墨等領(lǐng)域。

       二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態(tài)的羥基不飽和殘鍵，親水疏油，易于團(tuán)聚，必須要對(duì)其進(jìn)行功能化改性，以提高性能及應(yīng)用范圍。

       紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀是一種用于測(cè)量二氧化硅納米顆粒表面上接枝分子或聚合物的含量或密度的儀器。它可以評(píng)估材料表面的功能化程度和接枝效果。

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀檢測(cè)原理：

        LU 等科學(xué)家采用多洛倫茲分裂算法將游離 PEG 的NMR信號(hào)與接枝的 NMR信號(hào)區(qū)分開(kāi)，從而可以使用1H-NMR對(duì)接枝過(guò)程進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。該方法的優(yōu)點(diǎn)是不受接枝基團(tuán)末端官能團(tuán)類(lèi)型、表面化學(xué)性質(zhì)、納米粒子或組成的限制，它還為相關(guān)科學(xué)研究提供表征納米顆粒上基團(tuán)接枝密度的關(guān)鍵和標(biāo)準(zhǔn)指南。

       低場(chǎng)核磁技術(shù)因?yàn)槠湓O(shè)備成本較低，使用簡(jiǎn)單，適用于宏觀樣品等特性，非常適用于快速測(cè)定顆粒表面接枝率測(cè)定。它通過(guò)MSE系列序列實(shí)現(xiàn)死時(shí)間內(nèi)的1H核磁信號(hào)采集，最-大-程-度的采集到了接枝在顆粒表面的基團(tuán)中H原子核的信號(hào)，利用外標(biāo)法進(jìn)行定量分析。

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀產(chǎn)品功能：

樣品：納米級(jí)二氧化硅

規(guī)格：可裝入10mm口徑試管，裝樣高度不超過(guò)2cm

注意事項(xiàng)：樣品不得含有鐵磁性物質(zhì)

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

檢測(cè)成本低

快速簡(jiǎn)單

適用于宏觀樣品等特性

無(wú)需任何專(zhuān)業(yè)操作員培訓(xùn)

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀應(yīng)用案例：

納米顆粒表面積接枝基團(tuán)